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Si7455DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
60
0.05
0.04
T A = 125 °C
10
T J = 150 °C
0.03
T A = 25 °C
0.02
1
T J = 25 °C
0.01
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
4
5
6
7
8
9
10
3.8
3.5
3.2
2.9
2.6
2.3
2.0
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μ A
60
50
40
30
20
10
0
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
Limited by
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
10
R DS(on) *
100 μs
1 ms
10 ms
1
100 ms
1s
0.1
10 s
DC
0.01
0.001
T A = 25 °C
Single Pulse
0.1
1
10
100
1000
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73430
S09-0273-Rev. C, 16-Feb-09
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